FIR6N60BPG-M TO-251 N沟道功率MOSFET 6A/600V高压场效应管
FIR6N60BPG-M的产品应用：
适配器和充电器的电源开关电路
FIR6N60BPG-M的极限值：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDSS | 漏极-源极电压 | 600 | V |
| ID | 漏极电流-连续 | 6 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | 3.6 | ||
| IDMa1 | 漏极电流-脉冲 | 20 | A |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | V |
| EASa2 | 单脉冲雪崩能量 | 320 | mJ |
| EARa1 | 重复雪崩能量 | 31 | |
| IARa1 | 雪崩电流 | 8.0 | A |
| PD | 功耗 | 85 | W |
| TJ,Tstg | 工作结温和存储温度范围 | 150,-55~+150 | ℃ |
| TL | 最大焊接温度 | 300 |
FIR6N60BPG-M的电特性：
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| VDSS | 漏极-源极击穿电压 | VGS=0V,ID=250μA | 600 | V | ||
| IDSS | 零栅压漏极电流 | VDS=600V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 | VGS=10V,ID=3A | 1.4 | 1.6 | Ω | |
| VGS(TH) | 栅极开启电压 | VDS=VGS,ID=250μA | 2.0 | 3.1 | 4.0 | V |
| gfs | 正向跨导 | VDS=15V,ID=3A | 5.0 | S | ||
| Ciss | 输入电容 | VGS=0V VDS=25V f=1.0MHz | 510 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 65 | ||||
| Crss | 反向传输电容 | 17 | ||||
| td(on) | 开启延迟时间 | ID=6A VDD=250V RG=25Ω | 17 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 50 | ||||
| td(off) | 关断延迟时间 | 50 | ||||
| tf | 开启下降时间 | 48 | ||||
| Qgs | 栅源电荷密度 | ID=6A VDD=400V VGS=10V | 2.6 | nC | ||
| Qgd | 栅漏电和密度 | 12 |
扫二维码进入手机网站