贴片场效应管 100N15 TO-252 150V中低压MOS管 国产MOSFET
贴片场效应管 100N15的主要参数：
VDS=150V
ID=100A
RDS(ON)＜18mΩ@VGS=10V(Type：13.8mΩ)
封装：TO-252
贴片场效应管 100N15的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 150 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 100 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 56 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 360 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 280 | mJ |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 214 | W |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 0.7 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 62.5 |
贴片场效应管 100N15的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 150 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 13.8 | 18 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2.5 | 3 | 4.5 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=30V,VGS=0V | 1 | mA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 19 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 8.3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.1 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1346 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 211 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 18 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 11 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 15 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 14 | |||
| tf | 开启下降时间 | 4 |
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