FIR2N80FG-T TO-220F 插件MOSFET 800V高压N沟道场效应管
FIR2N80FG-T的极限值：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| VDSS | 漏极-源极电压 | 800 | V | |
| ID | 漏极电流-连续 | Tj=25℃ | 2.0 | A |
| Tj=100℃ | 1.25 | |||
| VGS[±V] | 栅极-源极电压 | ±30 | V | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 180 | mJ | |
| IAR | 雪崩电流 | 2.0 | A | |
| PD | 功耗(Tj=25℃) | 35 | W | |
| Tj | 最大工作结温 | 150 | ℃ | |
| Tstg | 存储温度 | -55~+150 | ||
| TL | 最大焊接温度 | 300 | ||
FIR2N80FG-T的热阻：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 3.57 | ℃/W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 120 |
FIR2N80FG-T的电特性：
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | ID=250μA,VGS=0 | 800 | V | ||
| IDSS | 零栅压漏极电流 | VDS=800V,VGS=0V | 10 | μA | ||
| VDS=640V,Tj=125℃ | 100 | |||||
| VGS(TH) | 栅极开启电压 | ID=250μA,VDS=VGS | 3 | 5 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 | ID=1A,VGS=10V | 6.3 | Ω | ||
| Ciss | 输入电容 | VDS=25V,VGS=0,f=1.0MHz | 589 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 45 | ||||
| Crss | 反向传输电容 | 5.5 | ||||
| td(on) | 开启延迟时间 | VDD=400V,ID=2A,RG=25Ω | 12 | 35 | ns | |
| tr | 开启上升时间 | 30 | 70 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 25 | 60 | |||
| tf | 开启下降时间 | 28 | 65 | |||
| Qgs | 栅源电荷密度 | VDS=640V,VGS=10V,ID=2A | 2.6 | nC | ||
| Qgd | 栅漏电和密度 | 6.0 |
FIR2N80FG-T的封装外形尺寸：
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