贴片场效应管 80N10 TO-252 100V国产MOS管 场效应管替代
贴片场效应管 80N10的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 80 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 46 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 296 | |
| PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 78 | W |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 220 | mJ |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 25 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
贴片场效应管 80N10的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 6.8 | 8.5 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=15A | 8 | 12 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 36 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 7.8 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 8.8 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1959 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 731 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 3 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 10.7 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 21 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 31 | |||
| tf | 开启下降时间 | 10.7 |
扫二维码进入手机网站