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中低压MOS管 85N03 PDFN3X3-8L
中低压MOS管 85N03 PDFN3X3-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:85N03
产品封装:PDFN3X3-8L
产品标题:中低压MOS管 85N03 PDFN3X3-8L 马达用场效应管 国产NMOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


中低压MOS管 85N03 PDFN3X3-8L 马达用场效应管 国产NMOS管



中低压MOS管 85N03的引脚图:

image.png



中低压MOS管 85N03的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压30V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)85A
漏极电流-连续(TC=100℃)80
IDM漏极电流-脉冲600
EAS单脉冲雪崩能量180mJ
IAS雪崩电流54A
PD总耗散功率 TC=25℃66W
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJA结到环境的热阻85℃/W
RθJC
结到管壳的热阻1.7



中低压MOS管 85N03的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压3036
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=20A


1.31.8

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=15A


22.7
VGS(th)
栅极开启电压1.21.72.5V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=30V,VGS=0V,



1uA

零栅压漏极电流

VDS=30V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
39.1
nC
Qgs栅源电荷密度
6.7
Qgd栅漏电荷密度
5.9
Ciss输入电容
2554
pF
Coss输出电容
924
Crss反向传输电容
73
td(on)开启延迟时间
10
ns
tr开启上升时间
7.3
td(off)关断延迟时间
38.6
tf
开启下降时间
16.4


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