20VN沟道MOS管 100N02 PDFN3X3-8L 贴片场效应管 低内阻MOSFET
20VN沟道MOS管 100N02的引脚图：
20VN沟道MOS管 100N02的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 100 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 48 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 270 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 80 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 40 | A |
| PD | 总耗散功率 | 83 | W |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 25 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.5 |
20VN沟道MOS管 100N02的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | 22 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=20A | 1.8 | 2.5 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=20A | 2.8 | 3.9 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 0.68 | 1 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=20V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 48 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 19 | |||
| Ciss | 输入电容 | 4307 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 501 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 321 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 9.7 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 37 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 63 | |||
| tf | 开启下降时间 | 52 |
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