N+P沟道MOS管 30G04 TO-252-4 40V场效应管 中低压MOS管
N+P沟道MOS管 30G04的引脚图：
N+P沟道MOS管 30G04的参数特点：
1、N-CH：
VDS=40V
ID=33A
RDS(ON)＜18mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-40V
ID=-31A
RDS(ON)＜30mΩ@VGS=-10V
N+P沟道MOS管 30G04的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 40 | -40 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TC=25℃) | 33 | -31 | A |
| 漏极电流-连续 (TC=100℃) | 23.1 | -21.7 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 99 | -93 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 528 | 495 | mJ |
| IAS | 单脉冲雪崩电流 | 26 | -28 | A |
| PD | 总耗散功率 (TC=25℃) | 25 | 31.3 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.5 | 1.5 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
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