N+P低压MOS管 4G02 SOT23-6L 20VMOS管替换 国产贴片MOSFET
N+P低压MOS管 4G02的产品特点：
1、N-CH：
VDS=20V
ID=4.5A
RDS(ON)＜35mΩ@VGS=4.5V(Type：28mΩ)
2、P-CH：
VDS=-20V
ID=-3.8A
RDS(ON)＜80mΩ@VGS=-4.5V(Type：55mΩ)
N+P低压MOS管 4G02的应用领域：
BLDC
N+P低压MOS管 4G02的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 20 | -20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TA=25℃) | 4.5 | -3.8 | A |
| 漏极电流-连续 (TA=70℃) | 3 | -2.5 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 52 | -40 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 12 | 18 | mJ |
| PD | 总耗散功率 (TA=25℃) | 1.5 | 1.5 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 105 | 105 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 50 | 50 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
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