FIR10N50FG场效应管 500V高压MOSFET福斯特NMOS管TO-220F 10N50
场效应管 FIR10N50FG的特点：
快速切换
低门极电容
低反向传输电容
场效应管 FIR10N50FG的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 500 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±30 | V |
| 漏极电流-连续 | ID | 10 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 580 | mJ |
| 功耗 | PD | 40 | W |
| 工作结温 | TJ | 150 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55~150 |
场效应管 FIR10N50FG的电特性：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 500 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=500V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| VDS=400V,VGS=0V,TC=125℃ | 100 | |||||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±30V,VGS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 4 | V | |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=5A | 0.5 | 0.75 | Ω | |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 1620 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 154 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 8.4 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=250V,ID=10A,RG=10Ω | 26 | nS | ||
| 开启上升时间 | tr | 20 | ||||
| 关断延迟时间 | td(off) | 52 | ||||
| 开启下降时间 | tf | 21 | ||||
| 栅极总电荷 | Qg | VDD=400V,ID=10A,VGS=10V | 32 | nC | ||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 7.9 | ||||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 12 |
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