30VN+NMOS管 80H03 TO-252-4L 双NMOSFET管 5.5mΩ 超低内阻MOS
30VN+NMOS管 80H03的引脚图：
30VN+NMOS管 80H03的产品特点：
VDS=30V
ID=80A
RDS(ON)＜5.5mΩ@VGS=10V(Type：4.5mΩ)
30VN+NMOS管 80H03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | 80 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | 51 | ||
| 漏极电流-连续 TA=25℃ | 15 | ||
| 漏极电流-连续 TA=70℃ | 12 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 160 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 115.2 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 48 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 59 | W |
| 总耗散功率 TA=25℃ | 2 | ||
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 2.1 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
30VN+NMOS管 80H03的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | 32 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 3.6 | 4.5 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=20A | 6.7 | 9.5 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 45 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 15 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2100 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 326 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 282 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 21 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 32 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 59 | |||
| tf | 开启下降时间 | 34 |
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