宇芯微 40V N+P沟道MOS 10G04 SOP-8 无线充用MOSFET 国内MOS管
N+P沟道MOS 10G04的产品特点：
1、N-CH：
VDS=40V
ID=9.8A
RDS(ON)＜26mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-40V
ID=-7.5A
RDS(ON)＜45mΩ@VGS=-10V
N+P沟道MOS 10G04的应用领域：
无线充电
无刷马达
N+P沟道MOS 10G04的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 40 | -40 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TA=25℃) | 9.8 | -7.5 | A |
| 漏极电流-连续 (TA=70℃) | 5.2 | -4.8 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 23 | -22 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 16.2 | 39 | mJ |
| IAS | 单脉冲雪崩电流 | 18 | 28 | A |
| PD | 总耗散功率 (TA=25℃) | 1.67 | 1.67 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 75 | 75 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 30 | 30 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
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