电源管理MOS NMOSFET 650V 国产替换场效应管 4N65 TO-251
NMOSFET 4N65的产品特点：
VDS=650V
ID=4A
RDS(ON)＜2.4Ω@VGS=10V
封装：TO-251
NMOSFET 4N65的用途：
UPS 不间断电源
PFC 功率因数校正
NMOSFET 4N65的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 650 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 4 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 16 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 160 | mJ |
| IAR | 雪崩电流 | 4 | A |
| EAR | 重复雪崩能量 | 20 | mJ |
| PD | 总耗散功率 | 36 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
| 结到管壳的热阻 | 3.47 | ||
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
NMOSFET 4N65的电特性：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 650 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=2A | 2 | 2.4 | Ω | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 3 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 15 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 7.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 580 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 69.5 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 10.9 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 12 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 22 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 50 | |||
| tf | 开启下降时间 | 48 |
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