场效应管主要参数 5G03 DFN3X3-8L N+P 30V增强型MOS 高频电路MOS管
30V增强型MOS 5G03的产品特点：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=8A
RDS(ON)＜20mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-7.2A
RDS(ON)＜50mΩ@VGS=-10V
30V增强型MOS 5G03的应用领域：
功率切换应用程序
硬开关和高频电路
UPS 不间断电源
30V增强型MOS 5G03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | -30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TC=25℃) | 8 | -7.2 | A |
| 漏极电流-连续 (TC=100℃) | 6 | -5.5 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 35 | -32 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 12 | 4 | mJ |
| IAS | 单脉冲雪崩电流 | 15 | 11 | A |
| PD | 总耗散功率 (TC=25℃) | 12 | 12 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 52.5 | 52.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 5.8 | 5.8 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
30V增强型MOS 5G03的封装外形尺寸图：
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