手机快充MOS 30V 5G03 SOP-8 N+P沟道场效应管 MOSFET参数
手机快充MOS 5G03的产品应用：
手机快速充电
锂电池保护
手机快充MOS 5G03的引脚图：
手机快充MOS 5G03的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | -30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TA=25℃) | 6.2 | -4.8 | A |
| 漏极电流-连续 (TA=70℃) | 5 | -3.8 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 24 | -24 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 26.6 | 37 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 12.7 | 15 | A |
| PD | 总耗散功率 (TA=25℃) | 1.5 | 1.5 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 85 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 60 | 60 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
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