25G02 PDFN5X6-8L 国产N+P沟道 低压MOS 无线充电MOS
低压MOS 25G02的引脚图：
低压MOS 25G02的产品应用领域：
无线充电
无数马达
低压MOS 25G02的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 20 | -20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TC=25℃) | 32 | -26.8 | A |
| 漏极电流-连续 (TC=100℃) | 27.4 | -22.5 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 78 | -69.1 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 150 | 135 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 72 | 68 | A |
| PD | 总耗散功率 (TC=25℃) | 46 | 41.3 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 5 | 5 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
低压MOS 25G02的封装外形尺寸图：
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