国产场效应管 20V/7A 电源管理MOS 8810 TSSOP-8 N+N沟道MOSFET
电源管理MOS 8810的引脚图：
电源管理MOS 8810的极限值：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 7 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 25 | |
| PD | 总耗散功率 | 1.5 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 83 | ℃/W |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
电源管理MOS 8810的电特性：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=6.5A | 14 | 20 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4V,ID=6A | 16 | 22 | |||
| 静态漏源导通电阻 VGS=3.1V,ID=5.5A | 19 | 26 | |||
| 静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=5.5A | 24 | 28 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.6 | 0.75 | 1.2 | V |
| gfs | 正向跨导 | 6.6 | S | ||
| Qg | 栅极电荷(4.5V) | 11 | 16 | nC | |
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 3.2 | |||
| Ciss | 输入电容 | 650 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 360 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 154 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 11 | 22 | ns | |
| tr | 开启上升时间 | 12 | 28 | ||
| td(off) | 关断延迟时间 | 35 | 73 | ||
| tf | 开启下降时间 | 33 | 65 |
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