照明设备用MOS 40N60 TO-247 大封装场效应管 MOSFET 600V/40A
照明设备用MOS 40N60的应用领域：
太阳逆变器
照明设备
服务器电源
照明设备用MOS 40N60的极限值：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 600 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TC=25℃) | 40 | A |
| 漏极电流-连续 (TC=100℃) | 25 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 (TC=25℃) | 120 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 793.6 | mJ |
| PD | 总耗散功率 | 261 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
| 结到管壳的热阻 | 0.48 | ||
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
照明设备用MOS 40N60的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 600 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 0.085 | 0.096 | Ω | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A，TJ=150℃ | 0.2 | ||||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 3 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 56.6 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 16.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 16.6 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3190.3 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 280.1 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 1.69 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 36.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 34.7 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 104.7 | |||
| tf | 开启下降时间 | 7.7 |
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