塑封MOS管 4P20 TO-220F P沟道场效应管 国产大芯片 -200V/-4A
塑封MOS管 4P20的特点：
VDS=-200V
ID=-4A
RDS(ON)＜1.5Ω@VGS=-10V
封装：TO-220F
塑封MOS管 4P20的应用领域：
功率放大器
电机驱动
塑封MOS管 4P20的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -200 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | -4 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | -2.3 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -14 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 310 | mJ |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 42 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 50 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 3 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
塑封MOS管 4P20的电特性：
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -200 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-2.2A | 1.5 | Ω | ||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -2 | -4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 1.1 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 20 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 11 | |||
| Ciss | 输入电容 | 340 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 110 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 33 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 8.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 27 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 7.3 | |||
| tf | 开启下降时间 | 19 |
塑封MOS管 4P20的封装外形尺寸：
扫二维码进入手机网站