国产场效应管 12mΩ 手机快充用MOS 60N12 PDFN5X6-8L 小封装MOS管
小封装MOS管 60N12的用途：
手机快充
无刷马达
家用电器控制板
小封装MOS管 60N12的引脚图配置：
小封装MOS管 60N12的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：120V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：60A
漏极电流-脉冲 IDM：150A
单脉冲雪崩能量 EAS：53.8mJ
总耗散功率 PD：140W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：0.89℃/W
小封装MOS管 60N12的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 120 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 10 | 12 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.8 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 33.1 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 5.6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 7.2 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2640.1 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 330.1 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 11.2 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 22.3 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 9.7 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 85 | |||
| tf | 开启下降时间 | 112.3 |
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