国产MOS管选型 低压MOS管 25N10 TO-252 电源用NMOS
国产MOS管选型 25N10的特点：
VDS=100V
ID=25A
RDS(ON)＜55mΩ@VGS=10V
封装：SOP-8
国产MOS管选型 25N10的用途：
消费电子电源电机控制
同步整流
同步整流应用
国产MOS管选型 25N10的极限参数：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
漏极-源极电压 VDS：100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续ID：25A
漏极电流-脉冲 IDM：60A
总耗散功率 PD：44.6W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作温度 TJ：-55~150℃
国产MOS管选型 25N10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=12A | 55 | mΩ | ||
| 静态漏源导通电阻 VGS=5V,ID=8A | 85 | ||||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.9 | 2.5 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 13.5 | 21.6 | nC | |
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 9 | |||
| Ciss | 输入电容 | 840 | 1340 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 115 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 80 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 6.5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 18 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 20 | |||
| tf | 开启下降时间 | 5 |
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