100V/3.8A 手机快充用MOS 4N10 SOT-23-3L MOS管参数
手机快充用MOS 4N10的特点：
VDS=100V
ID=3.8A
RDS(ON)＜240mΩ@VGS=10V
封装：SOT-23-3L
手机快充用MOS 4N10的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 3.8 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 2 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 8 | |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 3.76 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 70 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 30 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
手机快充用MOS 4N10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=1A | 210 | 240 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=0.5A | 240 | 280 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.9 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 9 | 18 | nC | |
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.3 | 4.6 | ||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.1 | 2.5 | ||
| Ciss | 输入电容 | 152 | 200 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 17 | 20 | ||
| Crss | 反向传输电容 | 10 | 15 | ||
| td(on) | 开启延迟时间 | 5.2 | 10 | ns | |
| tr | 开启上升时间 | 6.8 | 12 | ||
| td(off) | 关断延迟时间 | 14.5 | 28 | ||
| tf | 开启下降时间 | 2.1 | 5 |
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