硬开关用NMOS 80N07 TO-263 MOS管封装丝印 国产低压场效应管
硬开关用NMOS 80N07的特点：
VDS=72V
ID=80A
RDS(ON)＜6.8mΩ@VGS=10V
封装：TO-263
硬开关用NMOS 80N07的用途：
功率切换应用程序
硬开关和高频电路
UPS不间断电源
硬开关用NMOS 80N07的极限参数：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 72 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 80 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 76 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 310 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 400 | mJ |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 181 | W |
| TSTG | 存储温度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~175 |
硬开关用NMOS 80N07的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 72 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 7.2 | 8 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 4 | V | |
| Qg | 栅极电荷 | 90 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 18 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 28 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3150 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 300 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 240 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 18.2 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 15.6 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 70.5 | |||
| tf | 开启下降时间 | 13.8 |
硬开关用NMOS 80N07的封装外形尺寸图：
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