低压国产MOS管 3407 SOT-23 场效应管丝印 P沟道MOS管 3407
P沟道MOS管 3407的管脚图：
P沟道MOS管 3407的特点：
VDS=-30V
ID=-4.2A
RDS(ON)＜65mΩ@VGS=-10V
封装：SOT-23
P沟道MOS管 3407的应用：
锂电池充电
手机快充
P沟道MOS管 3407的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 | -4.2 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -17 | |
| PD | 总耗散功率 | 1.32 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 95 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 80 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
P沟道MOS管 3407的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -30 | -36 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-3A | 50 | 65 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-2A | 65 | 90 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1.2 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 6.4 | 9 | nC | |
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.3 | 3.2 | ||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.9 | 2.7 | ||
| Ciss | 输入电容 | 583 | 816 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 100 | 140 | ||
| Crss | 反向传输电容 | 80 | 112 | ||
| td(on) | 开启延迟时间 | 2.8 | 5.6 | ns | |
| tr | 开启上升时间 | 8.4 | 15.1 | ||
| td(off) | 关断延迟时间 | 39 | 78 | ||
| tf | 开启下降时间 | 6 | 12 |
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