P型低内阻MOSFET 100P03 TO-252 手机快充用MOS 场效应管100P03
手机快充用MOS 100P03的特点：
VDS=-30V
ID=-100A
RDS(ON)＜6.4mΩ@VGS=-10V
封装：TO-252
手机快充用MOS 100P03的应用：
锂电池保护
手机快充
手机快充用MOS 100P03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 | -100 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -360 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 210 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | -50 | A |
| PD | 总耗散功率 | 109 | W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.4 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~175 |
手机快充用MOS 100P03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -30 | -33 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-30A | 4.9 | 6.4 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 7.5 | 10.5 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 | -1 | μA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 30 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 8 | |||
| Ciss | 输入电容 | 6800 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 769 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 726 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 11 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 13 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 52 | |||
| tf | 开启下降时间 | 21 |
手机快充用MOS 100P03的封装外形尺寸图：
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