国产PMOS替换 8P01 SOT-23-3L 场效应管型号 MOS管8P01
国产PMOS替换 8P01的管脚图：
国产PMOS替换 8P01的应用：
电池保护
负载开关
不间断电源
国产PMOS替换 8P01的极限值：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -18 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续 | -8 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -32 | |
| PD | 总耗散功率 | 1.2 | W |
| TJ,TSTG | 工作结温和存储温度 | -55~150 | ℃ |
国产PMOS替换 8P01的电特性：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -15 | -18 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-8A | 15.4 | 18 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-6A | 20.7 | 28 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -0.4 | -0.68 | -1.2 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 | -1 | μA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 35 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 10 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2700 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 680 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 590 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 11 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 35 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 30 | |||
| tf | 开启下降时间 | 10 |
国产PMOS替换 8P01的封装外形尺寸：
扫二维码进入手机网站