高压可控硅 BT131 SOT-89-3L 四端双向可控硅 1A贴片晶闸管
高压可控硅 BT131的应用领域：
BT131双向可控硅应用于：加热控制器、彩灯控制器、电饭煲、燃气点火器、电风扇调速器等
高压可控硅 BT131的极限值：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
| IT(RMS) | 通态均方根电流 | 1 | A |
| ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 16 | |
| I2t | I2t值 | 1.28 | A2s |
| dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50（I-II-III） | A/μs |
| 10（IV） | |||
| IGM | 门极峰值电流 | 2 | A |
| PGM | 门极峰值功率 | 5 | W |
| PG(AV) | 门极平均功率 | 0.5 | |
| Tstg | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作结温 | -40~+125 |
高压可控硅 BT131的电特性：
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 数值 | 单位 | ||
| D | E | |||||
| IGT | 门极触发电流 | VD=12V,IT=0.1A,Tj=25℃ | I-II-III | ≤3 | ≤5 | mA |
| IV | ≤5 | ≤10 | ||||
| VGT | 门极触发电压 | I-II-III-IV | ≤1.3 | V | ||
| VGD | 门极不触发电压 | VD=VDRM,Tj=125℃ | ≥0.2 | |||
| IH | 维持电流 | VD=12V,IGT=0.1A,Tj=25℃ | I-II-III-IV | ≤5 | ≤5 | mA |
| IL | 擎住电流 | I-III-IV | ≤6 | ≤10 | ||
| II | ≤10 | ≤15 | ||||
| dVD/dt | 断态电压临界上升率 | VD=67%VDRM,门极开路 Tj=125℃ | ≥20 | ≥50 | V/μs | |
| VTM | 通态压降 | ITM=1.5A,tp=380μs | ≤1.55 | V | ||
| IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 | VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ | ≤5 | ≤5 | μA | |
| VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃ | ≤100 | ≤100 | ||||
高压可控硅 BT131的封装外形尺寸：
扫二维码进入手机网站