60VP沟道MOS管 50P06 PMOS 低压场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-03-05 10:18:08点击：6次

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  60VP沟道MOS管 50P06 PMOS 低压场效应管

  
  

  
  

  低压场效应管 50P06的特点：
  

  • V_DS=-60V

  • I_D=-50A

  • R_DS(ON)＜-18mΩ@V_GS=-10V

  • 封装：TO-252、TO-220、TO-263
    

  
  

  
  

  低压场效应管 50P06的应用：

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源
    

  
  

  
  

  低压场效应管 50P06的符号图：

  

  
  

  
  

  低压场效应管 50P06的极限参数：

  (除非有特殊要求，T_C=25℃)

  符号	参数	数值	单位
  VDS	漏极-源极电压	-60	V
  VGS	栅极-源极电压	±20
  ID	漏极电流-连续	-50	A
  	漏极电流-连续 (100℃)	-42.3
  IDM	漏极电流-脉冲	-260
  PD	总耗散功率	130	W
  EAS	单脉冲雪崩能量	722	mJ
  TSTG	存储温度	-55~175	℃
  TJ	工作结温	-55~175
  RθJC	结到管壳的热阻	1.15	℃/W

  
  

  
  

  低压场效应管 50P06的电特性：

  （如无特殊说明，T_C=25℃）

  符号	参数	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  BVDSS	漏极-源极击穿电压	-60			V
  RDS(ON)	静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-20A		13	18	mΩ
  VGS(th)	栅极开启电压	-2	-2.6	-3.5	V
  IDSS	零栅压漏极电流 VDS=-60V,VGS=0V			-1	μA
  IGSS	栅极漏电流			±100	nA
  Qg	栅极总电荷		75		nC
  Qgs	栅源电荷密度		16
  Qgd	栅漏电荷密度		19
  Ciss	输入电容		5814		pF
  Coss	输出电容		483
  Crss	反向传输电容		234
  td(on)	开启延迟时间		18		ns
  tr	开启上升时间		20
  td(off)	关断延迟时间		55
  tf	开启下降时间		35

  
  

  
  

  低压场效应管 50P06的封装外形尺寸：

  1、TO-252：

  

  
  

  
  

  2、TO-220：

  

  
  

  3、TO-263：
  

  

  
  

  
  

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