T435 4A双向可控硅 T435 TO-252 贴片可控硅
贴片可控硅 T435的应用领域:
T435可控硅应用于:加热控制器、马达调速控制器、麻将机、直发器、搅拌机、面包机等家用电器。
贴片可控硅 T435的引脚排列图:

贴片可控硅 T435的特点:
NPNPN 五层结构的硅双向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
工作结温高,换向能力强
高电压变化率 dV/dt
大电流变化率 dI/dt
符合 RoHS 规范
封装形式:TO-252
贴片可控硅 T435的极限值(TCASE=25℃):
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
| IT(RMS) | 通态均方根电流 | 4 | A |
| ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 30 | |
| I2t | I2t 值 | 5.1 | A2s |
| dTI/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
| IGM | 门极峰值电流 | 4 | A |
| PGM | 门极峰值功率 | 4 | W |
| PG(AV) | 门极平均功率 | 1 | |
| TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作结温 | -40~+125 |
贴片可控硅 T435的电特性:
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| IGT | 门极触发电流 | ≤35 | mA |
| VGT | 门极触发电压 | ≤1.3 | V |
| VGD | 门极不触发电压 | ≥0.2 | |
| IH | 维持电流 | ≤35 | mA |
| IL | I-III | ≤50 | |
| II | ≤60 | ||
| dVD/dt | 断态电压临界上升率 | ≥400 | V/μs |
| VTM | 通态压降 | ≤1.55 | V |
贴片可控硅 T435的封装外形尺寸:

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