BTB16-800可控硅参数 BTB16 双向可控硅

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-10-30 11:41:19点击：6次

• 
  

  BTB16-800可控硅参数 BTB16 双向可控硅

  
  

  
  

  双向可控硅 BTB16的应用领域：

          BTB16双向可控硅应用于：加热控制器、调速控制器、洗衣机、搅拌机、果汁机、电动工具、吸尘器等家用电器。

  
  

  
  

  双向可控硅 BTB16的引脚图：

  

  
  

  
  

  双向可控硅 BTB16的特点：
  

  • NPNPN 五层结构的硅双向器件

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 工作结温高，换向能力强

  • 高电压变化率 dV/dt

  • 大电流变化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：TO-220B
    

  
  

  
  

  双向可控硅 BTB16的极限参数(T_CASE=25℃)：

  符号	参数	数值	单位
  VDRM/VRRM	断态重复峰值电压	600/800	V
  IT(RMS)	通态均方根电流	16	A
  ITSM	通态不重复浪涌电流	160
  I2t	I2t 值	140	A2s
  dIT/dt	通态电流临界上升率	50	A/μs
  IGM	门极峰值电流	4	A
  PG(AV)	门极平均功率	1	W
  TSTG	存储温度	-40~+150	℃
  Tj	工作结温	-40~+125

  
  

  
  

  双向可控硅 BTB16的电特性：
  

  1、三象限参数：
  

  符号	参数	数值			单位
  		SW	CW	BW
  IGT	门极触发电流	≤10	≤35	≤50	mA
  VGT	门极触发电压	≤1.3			V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤15	≤30	≤50	mA
  IL	擎住电流  I-III	≤25	≤50	≤70
  	擎住电流  II	≤35	≤60	≤80
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥40	≥500	≥1000	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55			V

  
  

  
  

  2、四象限参数：
  

  符号	参数	数值		单位
  		C	B
  IGT	门极触发电流 I-II-III	≤25	≤50	mA
  	门极触发电流 IV	≤50	≤100
  VGT	门极触发电压 I-II-III-IV	≤1.3		V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤25	≤50	mA
  IL	擎住电流  I-III-IV	≤40	≤60
  	擎住电流  II	≤80	≤120
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥200	≥400	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55		V

  
  

  
  

  双向可控硅 BTB16的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

  ---

  声明：本网站原创内容，如需转载，请注明出处；本网站转载的内容（文章、图片、视频）等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片，未能及时和您确认，避免给双方造成不必要的经济损失，请电邮联系我们，以便迅速采取适当处理措施；邮箱：limeijun@yushin88.com