BT151 TO-252 贴片单向可控硅参数
一、BT151的特点:
PNPN 四层结构的硅单向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
符合 RoHS 规范
封装形式:TO-252
二、BT151的引脚图:

三、BT151的应用:
摩托车调压器、LED 灯控制器、彩灯控制器、直发器
四、BT151的极限值:
TCASE=25℃
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
| IT(AV) | 通态平均电流 | 8 | A |
| IT(RMS) | 通态均方根电流 | 12 | |
| ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 120 | |
| I2t | I2t 值 | 72 | A2s |
| dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
| IGM | 门极峰值电流 | 2 | A |
| PGM | 门极峰值功率 | 5 | W |
| PG(AV) | 门极平均功率 | 0.5 | |
| TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作结温 | -40~+125 |
BT151的电特性:
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| IGT | 门极触发电流 | 15 | mA |
| VGT | 门极触发电压 | 1 | V |
| VGD | 门极不触发电压 | 0.2 | V |
| IH | 维持电流 | 30 | mA |
| IL | 擎住电流 | 40 | mA |
| dVD/dt | 断态临界上升率 | 200 | V/μs |
| VTM | 通态压降 | 1.6 | V |
BT151的参数特性曲线:

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