40A 单向可控硅 TYN840 TO-220B
一、TYN840的特点:
PNPN 四层结构的硅单向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
符合 RoHS 规范
封装形式:TO-220B
二、TYN840的脚位图:

三、TYN840的应用:
电加热控制、电机调速、交流电开关、交直流逆变
四、TYN840的极限值(TCASE=25℃):
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 800 | V |
| IT(AV) | 通态平均电流 | 25 | A |
| IT(RMS) | 通态均方根电流 | 40 | |
| ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 460 | |
| I2t | I2t 值 | 1060 | A2s |
| dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 100 | A/μs |
| IGM | 门极峰值电流 | 4 | A |
| PG(AV) | 门极平均功率 | 1 | W |
| TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作温度 | -40~+125 |
五、TYN840的电性能:
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| IGT | 门极触发电流 | 5~35 | mA |
| VGT | 门极触发电压 | 1.3 | V |
| VGD | 门极不触发电压 | 0.2 | |
| IH | 维持电流 | 75 | mA |
| IL | 擎住电流 | 150 | |
| dVD/dt | 断态电压临界上升率 | 600 | V/μs |
| VTM | 通态压降 | 1.6 | V |
六、TYN840的封装外形尺寸:

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