宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注单向可控硅,双向可控硅,168彩票下载星空娱乐 ,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
当前位置: 首页 » 产品中心 » app星空游戏 » MOS管 » 中低压MOS管 » 贴片MOS管 30N06 SOT89-3

产品分类

Product Categories
贴片MOS管 30N06 SOT89-3
贴片MOS管 30N06 SOT89-3
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:30N06
产品封装:SOT89-3
产品标题:贴片MOS管 30N06 SOT89-3 60VN沟道MOS管 电源用国产场效应管30N06
咨询热线:0769-89027776

产品详情


贴片MOS管 30N06 SOT89-3 60VN沟道MOS管 电源用国产场效应管30N06



贴片MOS管 30N06的主要参数:

  • VDS=60V

  • ID=30A

  • RDS(ON)<36mΩ@VGS=10V(Type:28mΩ)



贴片MOS管 30N06的应用领域:

  • LED灯

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



贴片MOS管 30N06的极限值:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压60V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)30A
漏极电流-连续(TC=100℃)17
IDM漏极电流-脉冲74
EAS单脉冲雪崩能量22mJ
IAS
雪崩电流13A
PD总耗散功率(TC=25℃)31.3W
RθJA
结到环境的热阻85℃/W
RθJC结到管壳的热阻4
TSTG存储温度-55~175
TJ工作结温-55~175



贴片MOS管 30N06的极限值:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压6065
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=15A


2836
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=7A


3845
VGS(th)
栅极开启电压1.21.62.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
19
nC
Qgs栅源电荷密度

2.5
Qgd栅漏电荷密度
5
Ciss输入电容
1027
pF
Coss输出电容
65
Crss反向传输电容
46
td(on)开启延迟时间
2.8
ns
tr开启上升时间

16.6


td(off)关断延迟时间
21.2
tf
开启下降时间
5.6


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:东莞网站建设
Baidu
map