250V场效应管 4N25 SOT23-3L N沟道MOS管 4N25国产MOSFET
250V场效应管 4N25的主要参数：
VDS=250V
ID=4V
RDS(ON)＜1700mΩ@VGS=10V(Type：1000mΩ)
封装：SOT23-3L
250V场效应管 4N25的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 250 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | 4 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | 2.8 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 12 | |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 2 | W |
| 总耗散功率 TA=25℃ | 1.1 | ||
| RθJA | 结到环境的热阻 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 3.9 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
250V场效应管 4N25的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 250 | 285 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=7A | 1000 | 1700 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 17.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 4.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.7 | |||
| Ciss | 输入电容 | 155 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 35 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 4.8 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 6.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 45 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 6.4 | |||
| tf | 开启下降时间 | 22 |
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