P沟道MOS管 2303 SOT-23 低压MOSFET 电源用场效应管 2303国产MOS
P沟道MOS管 2303的主要参数：
VDS=-17V
ID=-3.3A
RDS(ON)＜100mΩ@VGS=-4.5V(Type：85mΩ)
P沟道MOS管 2303的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
P沟道MOS管 2303的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -17 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | -3.3 | A |
| 漏极电流-连续 TA=70℃ | -2.1 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -10 | |
| PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 1 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 110 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
P沟道MOS管 2303的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -17 | -20 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-2.5A | 85 | 120 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-1.5A | 110 | 154 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -0.4 | -0.7 | -1 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=-20V,VGS=0V | -1 | uA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 2.9 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 0.45 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 0.75 | |||
| Ciss | 输入电容 | 248 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 42 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 31 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 9.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 4.9 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 20.5 | |||
| tf | 开启下降时间 | 7 |
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