贴片PMOS管 8P03 SOT223-3L 低压场效应管 -30V/-8.2A 国产MOSFET选型8P03

贴片PMOS管 8P03的主要参数：

• V_DS=-30V

• I_D=-8.2A

• R_DS(ON)＜40mΩ@V_GS=-10V(Type：33mΩ)

贴片PMOS管 8P03的极限值：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：-30V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：-8.2A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：-18.4A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：125mJ

• 总耗散功率 P_D：2.15W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

• 结到环境的热阻 R_θJA：125℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：104℃/W

贴片PMOS管 8P03的电特性：

(如无特殊说明，T_J=25℃)