500VMOS管 20N50 TO-247 国产MOSFET 高压场效应管
500VMOS管 20N50的主要参数：
VDS=500V
ID=20V
RDS(ON)＜330mΩ@VGS=10V(Type：260mΩ)
封装：TO-247
500VMOS管 20N50的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 500 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 20 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 72 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 662 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 18 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 34 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 3.68 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
500VMOS管 20N50的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 500 | 540 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=3A | 250 | 330 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 3 | 3.2 | 5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 38 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 12 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 13 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2219 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 321 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 6.6 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 34 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 46 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 89 | |||
| tf | 开启下降时间 | 41 |
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