低压MOS管 4V02 SOT23-6L 贴片场效应管 20V P+P沟道MOS管

低压MOS管 4V02的引脚图：

低压MOS管 4V02的主要参数：

• V_DS=-20V

• I_D=-4.5A

• R_DS(ON)＜60mΩ@V_GS=4.5V(Type：49mΩ)

• 封装：SOT23-6L
  

低压MOS管 4V02的极限值：

(如无特殊说明，T_A=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：-20V

• 栅极-源极电压 V_GS：±12V

• 漏极电流-连续 I_D：-4.5A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：-14A

• 总耗散功率 P_D：1.5W

• 结到环境的热阻 R_θJA：85℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：25℃/W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

低压MOS管 4V02的电特性：

(如无特殊说明，T_J=25℃)