N沟道MOS管 10N50 TO-220 高压场效应管 500V/10A 国产MOSFET

N沟道MOS管 10N50的主要参数：

• V_DS=500V

• I_D=10A

• R_DS(ON)＜680mΩ@V_GS=10V(Type：600mΩ)

• 封装：TO-220

N沟道MOS管 10N50的应用领域：

• UPC

• PFC
  

N沟道MOS管 10N50的极限值：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：500V

• 栅极-源极电压 V_GS：±30V

• 漏极电流-连续 I_D ：10A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：36A

• 总耗散功率 P_D (T_C=25℃)：178W

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：347mJ

• 结到环境的热阻 R_θJA：62.5℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：0.7℃/W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

N沟道MOS管 10N50的电特性：

(如无特殊说明，T_J=25℃)