500mA达林顿芯片 ULN2002 SSOP10L 贴片NMOS驱动器 大电流达林顿ULN2002
500mA达林顿芯片 ULN2002的描述：
ULN2002是为针对于5V, 12V, 24V供电系统设计的二，三，四，七通道低导通电阻NMOS驱动电路，内部集成了续流二极管。可用于驱 动继电器、步进电机等电感性负载。单个达林顿 管集电极可输出500mA 电流，将多个通道并联可 实现更高的电流输出能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻辑缓冲器。
每一路输入集成了一个 13k 的下拉电阻，在 5-24V 的工作电压下可直接与MCU/TTL/CMOS 电路连接，可直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。
500mA达林顿芯片 ULN2002的特性：
VM耐压50V
工作电压范围: 2.5-50.0V
单路输出电流: 500mA
兼容1.8/3.3/5.0V IO控制
集成13k 对地下拉电阻
低待机功耗
低工作电流
500mA达林顿芯片 ULN2002的典型应用：
5线步进电机
继电器驱动
指示灯驱动
显示屏驱动
500mA达林顿芯片 ULN2002的引脚图和简单应用电路图：
500mA达林顿芯片 ULN2002的极限值：
| 参数 | MIN | MAX | 单位 | |
| 电源电压 | VM | -0.3 | 50 | V |
| 输入电压 | IN1,IN2,IN3,IN4,IN5,IN6,IN7 | -0.3 | 7 | |
| 静电保护(人体模型) | VM,INx,OUTx | 4 | kV | |
| 工作温度 | TJ | -40 | 150 | ℃ |
| 存储温度 | Tstg | -65 | 150 | |
| 热阻 | θJA | 160 | ℃/W | |
500mA达林顿芯片 ULN2002的电特性：
| 参数 | 测试条件 | MIN | TYP | MAX | 单位 | |
| FET导通阻抗 | ||||||
| MOS 导通电阻 | RDSON | IOUT=100mA | 2.3 | Ω | ||
| IOUT=300mA | 2.5 | |||||
| INx | ||||||
| 高电平输入电压 | VINH | 1.5 | 5 | V | ||
| 低电平输入电压 | VINL | 0 | 0.7 | |||
| 下拉电阻 | RPD | 13 | 30 | kΩ | ||
| 二极管正向导通电压 | ||||||
| 二极管正向导通电压 | VF | IF=300mA | 1.15 | 1.5 | V | |
| 二极管反向电流 | ||||||
| 二极管反向电流 | IR | 0 | 50 | μA | ||
| 工作电流 | ||||||
| 电路关断电流 | ICC_OFF | INx=0 | 3 | 10 | uA | |
| 电路工作电流 | ICC_ON | Inx=3.3V | 100 | 200 | ||
| 动态时间参数 | ||||||
| 上升时间 | tR | OUT电压从VM到0 | 0.1 | 1 | us | |
| 下降时间 | tF | OUT电压从0到VM | 0.1 | 1 | ||
| 上升延时 | tRD | 0.25 | 1 | |||
| 下降延时 | tFD | 0.25 | 1 | |||
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