P沟道MOS管 5P10 SOT23-3L 贴片MOSFET 100V/5A 中低压场效应管
P沟道MOS管 5P10的主要参数：
电压 VDS：-100V
电流 ID：-5A
内阻 RDS(ON)＜220mΩ@VGS=10V(Type：180mΩ)
P沟道MOS管 5P10的应用领域：
无刷马达
负载开关
UPS不间断电源
P沟道MOS管 5P10的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | -5 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | -1.7 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -16 | |
| PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 1.5 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 6.45 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
P沟道MOS管 5P10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-3A | 180 | 220 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-2A | 200 | 250 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1.3 | -1.85 | -2.3 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 25 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 4.4 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.6 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1270 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 36 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 30 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 15 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 17 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 45 | |||
| tf | 开启下降时间 | 16 |
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