20V 双 N-沟道 MOSFET GM8205A TSSOP-8 贴片式
GM8205A的内部结构：
GM8205A的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | 20 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±8 | |
| 漏极电流-连续 | ID | 5 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 20 | |
| 总耗散功率 | PTOT | 2 | W |
| 结到环境的热阻 | RθJA | 78 | ℃/W |
| 结到管壳的热阻 | RθJC | 40 | |
| 结温/存储温度 | TJ,Tstg | -55~+150 | ℃ |
GM8205A的电特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 20 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 0.5 | 1 | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | 1 | uA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
| 静态漏源导通电阻(ID=7A,VGS=4.5V) | RDS(ON) | 20 | 25 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻(ID=6A,VGS=2.5V) | 35 | 40 | |||
| 内附二极管正向压降 | VSD | 1.2 | V | ||
| 输入电容 | Ciss | 700 | pF | ||
| 共源输出电容 | Coss | 175 | |||
| 反向传输电容 | Crss | 85 | |||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 1.2 | nC | ||
| 栅漏电荷密度 | Qgd | 1.9 | |||
| 开启延迟时间 | td(on) | 8 | ns | ||
| 开启上升时间 | tr | 10 | |||
| 关断延迟时间 | td(off) | 18 | |||
| 开启下降时间 | tf | 5 |
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