20V/80A低压MOSFET 80N02 TO-252 电池保护用MOS管 常用场效应管
常用场效应管 80N02的应用领域：
电池保护
负载开关
不间断电源
常用场效应管 80N02的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDSS | 漏极-源极电压 | 20 | V |
| VGSS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 80 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 59 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 360 | |
| PD | 总耗散功率 | 81 | W |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 110 | mJ |
| TSTG | 存储温度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~175 | |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.85 | ℃/W |
常用场效应管 80N02的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| V(BR)DSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | 22 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=30A | 2.8 | 3.5 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=20A | 4 | 6 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 0.68 | 1 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 | 1 | uA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 48 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 19 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3200 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 460 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 445 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 9.7 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 37 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 63 | |||
| tf | 开启下降时间 | 52 |
常用场效应管 80N02的封装外形尺寸图：
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