200V功率MOS GMW2N20 TO-252 贴片场效应管
GMW2N20的特点：
快速开关
优化电压变率能力
GMW2N20的应用：
开关电源
DC-DC 变换和不间断电源
脉宽调制电极控制
功率因数校正
GMW2N20的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | 200 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±30 | |
| 漏极电流-连续 | ID | 2 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 8 | |
| 总耗散功率 | PTOT | 10 | W |
| 热阻 | RθJC | 13 | ℃/W |
| 结温/存储温度 | Tj,Tstg | -55~150 | ℃ |
GMW2N20的电特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 200 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 1 | 2 | 3 | |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | 1 | uA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | 1.65 | 1.9 | Ω | |
| 输入电容 | Ciss | 500 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 100 | |||
| 反向传输电容 | Crss | 20 | |||
| 栅极电荷密度 | Qg | 13.5 | nC | ||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 2 | |||
| 栅漏电荷密度 | Qgd | 6 |
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