200V贴片MOS管 SOT-23 GM2002 国产N沟道场效应管
GM2002的极限值：
| 特性参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | 200 | V |
| 漏极-源极电压 | VGS | ±20 | |
| 漏极电流-连续 | ID | 2 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 8 | |
| 总耗散功率 | PD | 1400 | mW |
| 结温 | Tj | 150 | ℃ |
| 存储温度 | Tstg | -55~150 |
GM2002的电特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 200 | V | ||
| 栅极开启电压 | VDS(th) | 1 | 3 | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | 1.2 | |||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | 1 | uA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | |||
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | 520 | 580 | mΩ | |
| 输入电容 | Ciss | 580 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 90 | |||
| 反向传输电容 | Crss | 3 | |||
| 开启时间 | t(on) | 10 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 15 |
扫二维码进入手机网站