代理大功率 100VN沟道MOS管 GM1052 SOT-23 绝缘栅
GM1052的极限值：
| 特性参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | 100 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | |
| 漏极电流-连续 | ID(at TC=25℃) | 1 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 4 | |
| 总耗散功率 | PD(at TC=25℃) | 1.4 | W |
| 热阻 | RθJA | 100 | ℃/W |
| 结温和存储温度 | Tj,Tstg | -55~+150 | ℃ |
GM1052的电特性：
| 特性参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 100 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 1 | 1.5 | 3 | |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | 1 | uA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 ID=1A,VGS=10V | RDS(ON) | 520 | 630 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 ID=0.8A,VGS=4.5V | 550 | 720 | |||
| 源极-漏极电流 | ISD | 1 | A | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | 1.2 | V | ||
| 输入电容 | Ciss | 100 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 13 | |||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 0.4 | nC | ||
| 栅漏电荷密度 | Qgd | 0.8 | |||
| 开启延迟时间 | td(on) | 5 | nS | ||
| 开启上升时间 | tr | 4 | |||
| 关断延迟时间 | td(off) | 12 | |||
| 开启下降时间 | tf | 5 |
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