中压MOS管 10N25 TO-252 250V场效应管 N沟道MOSFET
中压MOS管 10N25的主要参数：
VDS=250V
ID=10A
RDS(ON)＜650mΩ@VGS=10V(Type：500mΩ)
封装：TO-252
中压MOS管 10N25的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：250V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID (TC=25℃)：10A
漏极电流-脉冲 IDM：30A
总耗散功率 PD (TC=25℃)：60W
结到环境的热阻 RθJA：62.5℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：2.4℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
中压MOS管 10N25的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 250 | 300 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=2.5A | 500 | 650 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 7.7 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 464 | 580 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 424 | 550 | ||
| Crss | 反向传输电容 | 21.2 | 30 | ||
| td(on) | 开启延迟时间 | 7.5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 20 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 12 | |||
| tf | 开启下降时间 | 27 |
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