双向可控硅BT138 国产12A可控硅TO-220B/TO-252高压可控硅BT138

• 来源：宇芯电子 更新时间：2025-09-28 15:00:58点击：6次

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  双向可控硅BT138 国产12A可控硅TO-220B/TO-252高压可控硅BT138

  
  

  
  

  双向可控硅BT138的特点：

  
  

  • NPNPN 五层结构的硅双向器件

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 工作结温高，换向能力强

  • 高电压变化率 dV/dt

  • 大电流变化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：TO-220B、TO-252

  
  

  
  

  双向可控硅BT138的应用领域：

        BT138可控硅应用于：加热控制器、调速控制器、洗衣机、搅拌机、咖啡壶、电动工具、吸尘器等家用电器。

  
  

  
  

  双向可控硅BT138的实物图：

  

  
  

  
  

  双向可控硅BT138的极限值(TCASE=25℃)：

  符号	参数	数值	单位
  VDRM/VRRM	断态重复峰值电压	600/800	V
  IT(RMS)	通态均方根电流	12	A
  ITSM	通态不重复浪涌电流	95
  I2t	I2t 值	45	A2s
  dIT/dt	通态电流临界上升率	50	A/μs
  IGM	门极峰值电流	2	A
  PGM	门极峰值功率	5	W
  PG(AV)	门极平均功率	0.5
  TSTG	存储温度	-40~+150	℃
  Tj	工作结温	-40~+125

  
  

  
  

  双向可控硅BT138的电特性：

  符号	参数	数值			单位
  		D	E	F
  IGT	门极触发电流 I-II-III	≤5	≤10	≤25	mA
  	门极触发电流 IV	≤10	≤25	≤70
  VGT	门极触发电压 I-II-III-IV	≤1.3			V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤10	≤30	≤30	mA
  IL	擎住电流 I-III-IV	≤15	≤30	≤40
  	擎住电流 II	≤20	≤40	≤60
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥10	≥20	≥50	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55			V
  IDRM/IRRM	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃	≤5			μA
  	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃	≤1			mA

  
  

  
  

  双向可控硅BT138的封装外形尺寸图：

  

  
  

  

  
  

  
  

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